碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)
邁向節能世界的下一個關鍵步驟是使用新材料，比如寬帶隙半導體，這些材料可以實現更高的功率效率、更小的尺寸、更輕的重量、更低的總體成本——或者同時實現上述所有優點。英飛凌是目前唯一一家提供硅(Si)、碳化硅(SiC)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)和氮化鎵(GaN)器件的公司，這一獨特地位使其成為所有領域客戶的首選。
CoolSiC? - 依賴高壓段的變革
與硅相比，碳化硅(SiC)具有3電子伏特(eV)的寬帶隙和更高的導熱率。基于SiC的MOSFET最適用于高擊穿、高功率的高頻應用。與硅相比，諸如RDS(on)等器件參數隨溫度的變化較小。這使設計人員能夠在設計中實現更小的極限，從而實現更高的性能。基于成熟的高質量批量生產，英飛凌CoolSiC?解決方案將革命性技術與標準可靠性相結合，為客戶目前和未來的成功提供支持。
EiceDRIVER? - Gate driver ICs with perfect fit to CoolSiC? MOSFET
EiceDRIVER? SiC MOSFET gate driver ICs are well-suited to drive SiC MOSFETs, especially our ultra-fast switching CoolSiC? SiC MOSFETs. These gate drivers incorporate most important key features and parameters for SiC driving such as tight propagation delay matching, precise input filters, wide output-side supply range, negative gate voltage capability, active Miller clamp, DESAT protection, and extended CMTI capability. >Learn more
CoolGaN? - 將氮化鎵(GaN)技術提升到新的水平
GaN比SiC具有更高的帶隙（3.4電子伏特）和更高的電子遷移率。與硅(Si)相比，其擊穿場強度高出十倍，電子遷移率提高一倍。輸出電荷和柵極電荷都比硅(Si)低十倍，反向恢復電荷幾乎為零，這對于高頻操作至關重要。GaN是現代諧振拓撲中的首選技術，可實現并支持新方法，包括新拓撲和電流調制。英飛凌的GaN解決方案基于市場上最穩健和性能最好的概念——增強型(e-mode)概念，可提供快速的開關速度。CoolGaN? 氮化鎵產品專注于高性能和穩健性，為許多應用（如服務器、電信、無線充電、適配器和充電器及音頻）中的各種系統增加了重要價值。CoolGaN?開關簡單易用，易于采用英飛凌專用的GaN EiceDRIVER?柵極驅動器IC進行設計。
CoolGaN? 400V和600V e-mode GaN HEMT應用
英飛凌的CoolGaN?產品系列面向消費和工業應用，如服務器、電信、無線充電、音頻、適配器和充電器。
CoolSiC? MOSFET 1200V
CoolSiC? MOSFET 1200V是將設計帶到全新效率和功率密度水平的前沿解決方案。
CoolSiC? 肖特基二極管 650V
CoolSiC?肖特基二極管以極具吸引力的單位成本提供市場領先的效率。它從各關鍵方面均得到優化，包括結結構、基片和裸片粘附。
